X波段低噪声放大器设计

• 作者: 张胜杰
• 来源期刊: 物联网技术
• 关键词: 低噪声放大器 噪声系数 驻波比 仿真分析
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠传输
• 页码范围: 42-43,45
• 页数: 3页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文

摘要

介绍了一款X波段低噪声放大器的设计与调试过程.设计采用NEC公司的HEMT晶体管NE3515S02制作,放大器采用两级级联,并利用先进系统软件进行噪声、稳定性、增益、驻波比等参数的仿真分析,同时绘制了电路板,然后使用三维建模软件 Autodesk inventor设计了放大器的壳体.制作的LNA指标为:在8.8 GHz~9.6 GHz频带内,功率增益为22 dB,带内平坦度小于1 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出驻波比小于1.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张胜杰	杭州电子科技大学天线与微波技术研究所	3	6	2.0	2.0