磁控溅射氧气流量对非晶InGaZnO薄膜特性的影响研究

• 作者: 李远洁 毛玉政 江凯
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶InGaZnO薄膜 射频磁控溅射 X射线光电子谱 光吸收特性
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1180-1184
• 分类号: O472|TN304.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.10.04

摘要

采用射频磁控溅射法在不同氧气流量条件下制备了非晶InGaZnO (a-IGZO)薄膜.利用霍尔效应,X射线光电子能谱(XPS)和光透过率谱研究了氧气流量对a-IGZO薄膜性能影响的规律.研究表明a-IGZO薄膜呈现n型半导体特性.当氧气流量为0.5 mL/min时薄膜电子迁移率达到最大12 cm2/Vs.当氧气流量大于1 mL/min时,薄膜呈现出半绝缘电导特性.XPS揭示了a-IGZO薄膜中In,Ga,Zn元素均以In3+,Ga3+及Zn2+价态存在,氧气流量分别为0和4 mL/min的a-IGZO薄膜的O1s高分辨率XPS图谱表明低氧气流量a-IGZO薄膜中存在与氧空位相关的氧晶格元素O1s峰而高氧气流量样品中没有显示此峰,表明生长过程中增加氧气流量降低了a-IGZO中氧空位缺陷浓度.此外,a-IGZZO薄膜在可见光范围内的光透过率随氧气流量的增加而提高,当氧气流量为1 mL/min时a-IGZO薄膜平均透过率达到80％,光学禁带宽度为3.37 eV,为实现高性能透明a-IGZO-TFT器件奠定基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江凯	西安交通大学电子与信息工程学院	4	21	2.0	4.0
2	李远洁	西安交通大学电子与信息工程学院	5	11	2.0	3.0
3	毛玉政	西安交通大学电子与信息工程学院	1	1	1.0	1.0