4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究?

• 作者: 刘奥 刘斯扬 孙伟锋 汪玲 陶永洪 顾春德 马荣晶 黄润华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 结势垒肖特基二极管 反向浪涌峰值电压 优化
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 725-730
• 页数: 6页
• 分类号: TN311
• 字数: 2932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.04.001

摘要

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM( High-Resolution Transmission Electron Micros-copy)研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管JBS( Junction Barrier Schottky)在反向浪涌电压应力作用下的失效机理；进而重点研究了结终端扩展区JTE(Junction Termination Extension)的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压VRSM(Maximum Surge Peak Reverse Voltage)的影响,并结合JBS的基本结构对其进行优化设计；最后,流片测试显示优化设计的4H-SiC结势垒肖特基二极管的VRSM值约为1450V,比原器件提升了20%左右。