负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响

• 作者: 丁磊 张方辉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-IGZO薄膜晶体管 磁控溅射法 负电荷层 平带电势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1320-1324
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153611.1320

摘要

采用脉冲直流磁控溅射的方式沉积In-Ga-Zn-O ( IGZO)膜层作为TFT的有源层. 在TFT沟道处的有源层和绝缘层的界面上,通过溅射法制作一定厚度的负电荷层对阈值电压( Vth )进行调制,使得Vth由-3. 8 V升高至-0. 3 V,器件由耗尽型向增强型转变. 通过增加Al2 O3 作为负电荷层,可有效地将Vth控制在0 V附近,并且提高其器件稳定性,得到较好的电学特性:电流开关比Ion/Iof >109 ,亚阈值摆幅SS为0. 2 V/dec,阈值电压Vth为-0. 3 V,迁移率μ为9. 2 cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张方辉	陕西科技大学理学院	150	773	13.0	20.0
2	丁磊	陕西科技大学理学院	15	41	5.0	6.0