一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂

• 作者: 孙铭斌 孙鸣 张男男 杨志欣 檀柏梅 王辰伟 程川 高宝红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: CuO颗粒 清洗剂 化学机械抛光(CMP) 颗粒去除 表面活性剂
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 64-68
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.01.011

摘要

在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性.对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所产生的CuO颗粒,采用主要有效成分为FA/OII型螯合剂和FA/OI型非离子表面活性剂的碱性清洗剂,结合聚乙烯醇(PVA)刷洗的方式对其进行清洗.利用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对铜光片清洗前后进行检测.实验结果表明,该清洗剂不仅能有效去除GLSI多层铜布线片CMP后在铜线条表面残留的CuO颗粒,而且成分简单环保,不合金属离子,因此有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
3	高宝红	河北工业大学微电子研究所	29	61	4.0	5.0
4	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
5	程川	河北工业大学微电子研究所	6	11	2.0	3.0
6	张男男	河北工业大学微电子研究所	8	13	2.0	3.0
7	孙铭斌	河北工业大学微电子研究所	5	19	3.0	4.0
8	杨志欣	河北工业大学微电子研究所	6	11	2.0	3.0