PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性

• 作者: 余亮 刘磊 李学留 梁齐 汪壮兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnS薄膜 脉冲激光沉积 Cu掺杂 异质结器件
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1311-1319
• 页数: 9页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 4852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153611.1311

摘要

利用脉冲激光沉积( PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜. 靶材是由SnS和Cu2 S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%﹑2. 5%﹑5%﹑7. 5%和10%). 利用X射线衍射(XRD)﹑拉曼光谱仪(Ra-man)﹑原子力显微镜( AFM)﹑紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)﹑Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构﹑表面形貌﹑光学性质和电学性能的影响. 结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS:5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰. 随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大. 不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1数量级. SnS:5%Cu薄膜的禁带宽度Eg 为2. 23 eV,光暗电导率比值为2. 59. 同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS:Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	35	165	7.0	9.0
2	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
3	汪壮兵	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	19	69	5.0	7.0
4	余亮	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	30	4.0	5.0
5	李学留	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	23	3.0	4.0