PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源

• 作者: 吴瑶 高博 龚敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 亚阈值MOSFET 电压基准源 PVT恒定 低工作电压
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 9-13,17
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3212字
• 语种: 中文

摘要

提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论，采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、温度的敏感性。仿真结果表明：在不同工艺角下，电源电压、温度使基准电压Vref的变化仅为±1.36%。电压参考源的温度系数大约为4.5×10-6℃-1，电源线性调制率为2.1% mV·V-1，最小工作电压仅为0.56 V。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博		9	17	2.0	3.0
2	龚敏		9	17	2.0	3.0
3	吴瑶		1	0	0.0	0.0