新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔

• 作者: 史凌峰 王兴君
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管(CNT) 硅通孔(TSV) 可变参数电路模型 信号传输性能 信号完整性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术
• 页码范围: 294-301
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.009

摘要

针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构.在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型,并基于TSV在三种不同应用层次上的尺寸参数,通过此电路模型分析新型TSV中的信号传输性能.分析结果表明,在0～40 GHz内与单一类型碳纳米管填充的TSV相比,所提出TSV结构具有更小的插入损耗与更短的上升时延,并随TSV的尺寸增大优势更加显著.最后,对所提出TSV结构进行时域眼图仿真,仿真结果表明其在高速集成电路中可以满足对信号完整性的要求.