ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究

• 作者: 刘方方 展明浩 管朋 许高斌 黄斌
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 工艺参数 正交实验 过程优化 刻蚀垂直度
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 185-190
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.03.009

摘要

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术.介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀/钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响.通过对ICP刻蚀的刻蚀/钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10 μtm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构.将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄斌		4	10	1.0	3.0