InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性

• 作者: 周易 李志锋 陆卫 陈建新 黄亮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 166-171
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 4649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.008

摘要

报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合,获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析,发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大,归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴,其表观寿命约为2～ 12 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	黄亮	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	21	290	6.0	17.0
3	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	37	186	8.0	12.0
4	陈建新	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	56	564	13.0	21.0
5	周易	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	4	4	1.0	2.0