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摘要:
通过分析GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了GaAlAs IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了GaAlAs IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量GaAlAs IRED的低频噪声,发现其低频噪声主要表现为1/f噪声,得到与噪声模型一致的结果。该研究为GaAlAs IRLED可靠性的噪声表征提供了实验基础与理论依据。
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文献信息
篇名 GaAlAs红外发光二极管低频噪声检测方法
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 低频噪声 红外发光二极管 噪声模型 氧化层陷阱
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 1249-1252
页数 4页 分类号 TN36|TN386.1
字数 2565字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈志高 中国地震局地震研究所地震大地测量重点实验室 35 208 6.0 14.0
3 黄贻培 重庆科创职业学院机电学院 20 44 3.0 6.0
4 杨代强 重庆科创职业学院机电学院 29 38 4.0 4.0
5 熊建国 重庆科创职业学院机电学院 23 30 4.0 4.0
6 赵华 河北师范大学电子工程系 11 28 3.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
低频噪声
红外发光二极管
噪声模型
氧化层陷阱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导