PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响

• 作者: 李雪飞 王伟 王帅 石晓东
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管(OTFT) 栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 阈值电压
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 554-558,580
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.09.002

摘要

影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能.以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极.通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触.实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王帅	河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所	9	10	2.0	3.0
2	王伟	河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所	50	144	7.0	10.0
3	石晓东	河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所	6	24	2.0	4.0
4	李雪飞	河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0