Si(100)表面吸附Sr的建模与第一性原理计算

• 作者: 周耐根 姚立峰 李克 李松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si(100) Sr 吸附 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1363-1369,1382
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 字数: 4407字
• 语种: 中文

摘要

为了研究Sr在Si(100)表面的稳定吸附结构和吸附特性,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,通过改变Sr在Si(100)表面的覆盖度和吸附位置,计算了Si(100)表面吸附Sr的吸附能、电子态密度、电子布居、电荷密度和差分电荷密度.计算结果表明,三种吸附位置中,空位的吸附能最低,Sr与Si(100)表面的作用力最大,结构最稳定;覆盖度越低,吸附能越小,Sr与Si(100)表面的作用力越大,吸附结构越稳定.Sr、Si原子间的作用力主要由Sr的3d轨道电子和Si的3s、3p轨道电子杂化耦合作用(d-sp3杂化)贡献,包括共价键和离子键.共价键和离子键的强度均随覆盖度增大而减弱,这可能是由于Sr与Sr之间的排斥力减弱了Sr与Si之间的作用力,并且这种排斥力随覆盖度增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周耐根	南昌大学机电工程学院	34	179	7.0	12.0
2	李克	南昌大学机电工程学院	42	235	9.0	13.0
3	李松	南昌大学机电工程学院	15	129	4.0	11.0
4	姚立峰	南昌大学机电工程学院	2	6	2.0	2.0