Cu/TiO2/ITO薄膜元件阻变性能与机理研究

• 作者: 刘俊勇 周白杨 李建新 邢昕 陈志坚
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: TiO2薄膜 磁控溅射 双极阻变 阻变机理
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 31-34
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.05.06

摘要

以磁控溅射方法沉积TiO2薄膜和Cu上电极层,制备Cu/TiO2/ITO阻变存储器元件.采用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜材料进行性能表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;结构以非晶为主,仅有少量金红石相TiO2(110)面结晶;钛氧比为1:1.92(at％),说明薄膜内部存在少量氧空位.在阻变性能测试中,元件呈现双极阻变现象,阻变窗口值稳定,数据保持特性良好,但未出现Forming过程.通过对阻变元件I-V曲线线性拟合结果的分析,得出阻变机理由导电细丝理论和普尔-法兰克效应共同控制.进一步分析发现,被氧化的Cu离子在偏压作用下很容易在TiO2薄膜内迁移并形成直径较大且较为稳定的导电细丝.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周白杨	福州大学材料科学与工程学院	36	89	5.0	7.0
2	陈志坚	福州大学材料科学与工程学院	10	29	2.0	5.0
3	李建新	福州大学材料科学与工程学院	9	21	2.0	4.0
4	邢昕	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0
5	刘俊勇	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0