用于3 mm器件的GaAs PHEMT外延材料

• 作者: 卜夏正 商耀辉 武一宾 牛晨亮 王健
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3 mm器件 GaAs PHEMT 电子迁移率 InGaAs 电子有效质量
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 283-288
• 分类号: TN304.23|TN304.054|TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.05.003

摘要

开发出一种适用于3 mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料.分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维量子态浓度和临界厚度设计了沟道厚度.在MBE生长过程中通过工艺调整改善了高In组分沟道的晶体质量和界面平整度,降低了散射概率,设计并生长了不同沟道In组分和厚度组合的GaAs PHEMT材料,根据霍尔测试结果进行微调后室温霍尔迁移率和二维电子气(2DEG)浓度分别达到9 080 cm2/(V·s)和3.61×1012 cm-2.3 mm功放器件结果:输出功率为21 dBm,29 GHz下功率增益为8 dB,饱和电流为400 mA/mm,最大跨导为800 mS/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
3	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
5	牛晨亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	6	2.0	2.0
9	卜夏正	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	3	1.0	1.0