Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层

• 作者: 刘上贤 夏洋 汪明刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁性材料 等离子体刻蚀 Ar/CO/NH3 磁随机存储器(MRAM) 多步刻蚀
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 675-678,717
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.09.008

摘要

基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
5	汪明刚	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	8	31	3.0	5.0
9	刘上贤	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	1	2	1.0	1.0