Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提性能降功耗

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: VISHAY 移相全桥 零电压开关 导通电阻 反向恢复 软开关 可再生能源 半桥 技术制造 太阳能逆变器
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（3）
• 页码范围: 28-29
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET-SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和Si-Hx70N60EF。VishaySiliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。此次推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。