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【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET-SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和Si-Hx70N60EF。VishaySiliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。此次推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。
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文献信息
篇名 Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提性能降功耗
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 VISHAY 移相全桥 零电压开关 导通电阻 反向恢复 软开关 可再生能源 半桥 技术制造 太阳能逆变器
年,卷(期) bdtxx_2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 28-29
页数 2页 分类号 TN386
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节点文献
VISHAY
移相全桥
零电压开关
导通电阻
反向恢复
软开关
可再生能源
半桥
技术制造
太阳能逆变器
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
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