抛光铜衬底表面形貌对CVD制备石墨烯的影响?

• 作者: 冯伟 张建华 杨连乔
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 铜 化学气沉淀法 电化学抛光
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 1129-1134
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.027

摘要

铜是目前用于化学气相沉淀(CVD)法制备石墨烯应用最广泛的一种催化剂，其表面形貌状态直接影响石墨烯的质量。电化学抛光法是一种处理金属表面形貌的重要方法。系统研究了抛光工艺参数对铜箔表面质量以及相应石墨烯品质的影响，探讨了铜箔表面状态与石墨烯透过率、导电性及石墨烯层数的关联特性。研究发现，抛光处理后铜箔生长的石墨烯的品质较未处理铜箔生长的有明显提高。在一定抛光电流密度范围，抛光电流密度越大，铜箔表面越平整，在抛光处理后的铜箔上生长的石墨烯结晶缺陷态逐渐减少，单层性与均匀性越来越好好，透过率和导电性也显著提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯伟	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	50	545	14.0	21.0
5	张建华	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
6	杨连乔	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	11	62	5.0	7.0