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摘要:
为了提高GaN基LED的发光效率,缓解LED在大电流注入下的效率下降的问题,我们采用在传统的u型GaN垒层中插入7 nm的P型层的方法来改善多量子阱层中的空穴分布,提高载流子的辐射复合速率。实验结果表明:在垒层中插入7 nm的P型层使得LED中空穴的分布更加均匀,载流子的辐射复合速率提高了20%。同时器件在200 mA的注入电流下内量子效率提高了36.3%,发光功率从100 mW提高到140 mW。
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文献信息
篇名 GaN基LED光电器件的垒层研究与设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 LED 发光效率 P型层 空穴分布 辐射复合速率
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 1232-1235
页数 4页 分类号 O437|TN364
字数 1926字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚惠林 洛阳理工学院电气工程与自动化学院 11 14 3.0 3.0
2 宋丽君 洛阳理工学院电气工程与自动化学院 14 29 3.0 4.0
3 陈朝辉 洛阳理工学院电气工程与自动化学院 16 35 4.0 5.0
4 路纲 洛阳理工学院电气工程与自动化学院 7 4 1.0 2.0
5 王波 洛阳理工学院电气工程与自动化学院 9 26 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
LED
发光效率
P型层
空穴分布
辐射复合速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导