聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷

• 作者: 丁绍楠 刘安华 刘星煜 刘玲 李风萍 胡志明
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 聚碳硅烷 氮化热解法 SiNO陶瓷
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 780-784
• 页数: 5页
• 分类号: TQ342.74
• 字数: 3829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2015.06.006

摘要

系统研究了热解和氧化条件对聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷的影响.研究发现,氮化脱碳反应主要发生在800℃之前,且脱碳彻底,碳质量分数低于1％;在氮气气氛下继续烧成,最终生成陶瓷的氮质量分数可达35.65％.氮化前对聚碳硅烷进行氧化交联可提高陶瓷产率至61.84％,但是产物中氮质量分数显著降低到20％以下,产物为无定型态的SiNO陶瓷.