一种Divided RESURF高压互连结构研究

• 作者: 乔明 张昕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高压互连线 击穿耐压 Divided RESURF
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1614字
• 语种: 中文

摘要

高压互连是功率集成电路中的重要技术，随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大，人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究，使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，通过进行二维仿真，优化其结构和掺杂浓度等参数，器件的击穿耐压达到903 V，可用于600 V高压集成电路中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	张昕	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	2	1.0	1.0