新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 马荣晶 魏家行
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频LDMOS 栅源寄生电容Cgs Tsuprem4 优化
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1228-1231
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.003

摘要

为了降低栅源寄生电容Cgs，提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件；采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析，重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容Cgs的影响，并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明：这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比，使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%，截止频率提高了7.6%，且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	魏家行	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	4	3	1.0	1.0
4	马荣晶	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0