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摘要:
研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度、温度等因素对沉积层表面形貌的影响.结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC体系热稳定性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318 K、c(SiCl4) =0.5 mol/L、电流密度i=15 A/m2、电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状.
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文献信息
篇名 SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究
来源期刊 有色金属(冶炼部分) 学科 工学
关键词 离子液体 电沉积 硅
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 材料与设备
研究方向 页码范围 66-70
页数 5页 分类号 TF111.52
字数 2905字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7545.2015.05.017
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作者信息
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硅
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