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SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究
SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究
作者:
张跃宏
李亚琼
李斌川
郭瑞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
离子液体
电沉积
硅
摘要:
研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度、温度等因素对沉积层表面形貌的影响.结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC体系热稳定性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318 K、c(SiCl4) =0.5 mol/L、电流密度i=15 A/m2、电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状.
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文献信息
篇名
SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究
来源期刊
有色金属(冶炼部分)
学科
工学
关键词
离子液体
电沉积
硅
年,卷(期)
2015,(5)
所属期刊栏目
材料与设备
研究方向
页码范围
66-70
页数
5页
分类号
TF111.52
字数
2905字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-7545.2015.05.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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1
李亚琼
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离子液体
电沉积
硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
有色金属(冶炼部分)
主办单位:
北京矿冶研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-7545
CN:
11-1841/TF
开本:
大16开
出版地:
北京南四环西路188号总部基地18区23号楼
邮发代号:
2-464
创刊时间:
1949
语种:
chi
出版文献量(篇)
3344
总下载数(次)
4
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