0.8μm SOI CMOS抗辐射加固工艺辐射效应研究

• 作者: 顾爱军 马慧红
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI radiation-hard ASIC SIMOX
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2588字
• 语种: 中文

摘要

采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术，研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究。对比抗辐射加固工艺前后器件的Id-Vg曲线以及前栅、背栅阈值随辐射总剂量的变化关系，得到1 Mrad（Si）总剂量辐射下器件前栅阈值电压漂移小于0.15 V。最后对加固和非加固的电路静态电流、动态电流、功能随辐射总剂量的变化情况进行了研究，结果表明抗辐射加固工艺制造的电路抗总剂量辐射性能达到500 krad（Si）。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾爱军		10	13	2.0	2.0
2	马慧红		5	4	1.0	2.0