InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能

• 作者: 国凤云 张新建 白贵元 赵连城 陈道明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs/GaInSb 超晶格薄膜 分子束外延
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1252-1257
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153611.1252

摘要

采用分子束外延( MBE)方法,调节生长温度﹑Ⅴ/Ⅲ束流比等参数在( 001 ) GaAs衬底上生长了InAs/GaInSb超晶格薄膜. 结果表明:InAs/GaInSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385~395 ℃,Ⅴ/Ⅲ束流比为5. 7:1~8. 7:1. 高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到清晰的GaAs层(4 × 2)﹑GaSb层(1 × 3)和InAs层(1 × 2)再构衍射条纹. 获得的超晶格薄膜结构质量较好. 随着温度的升高,材料的载流子浓度和迁移率均上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	107	1153	16.0	29.0
2	陈道明	中国工程物理研究院材料研究所	3	2	1.0	1.0
4	张新建	中国工程物理研究院材料研究所	7	9	2.0	3.0
7	国凤云	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
8	白贵元	中国工程物理研究院材料研究所	1	2	1.0	1.0