HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

• 作者: 周小惠 李建保 陈拥军 骆丽杰
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 纳米带 化学气相沉积 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 1815-1819,1824
• 页数: 6页
• 分类号: TQ127
• 字数: 3658字
• 语种: 中文

摘要

本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈拥军	广西大学化学化工学院	14	89	6.0	9.0
4	李建保	海南大学材料与化工学院	35	182	9.0	12.0
14	骆丽杰	海南大学材料与化工学院	13	40	4.0	6.0
18	周小惠	广西大学化学化工学院	4	17	2.0	4.0