压接型IGBT串联自取能关键技术研究

• 作者: 房萍 李卫国 蔡博 赵国亮
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 串联 自取能
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 电力系统中的电力电子技术专辑
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 2298字
• 语种: 中文

摘要

基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联型电压源换流器具有诸多优点,而且IGBT串联应用的主要优势领域为高压柔性直流输电,故IGBT的驱动保护电路供电方式只有高电位自取能是可行的,即在压接型IGBT源漏极之间获取电能.从而可知,高电位自取能回路是影响电压均衡的重要因素之一.此处首先提出高电位自取能技术方案,其次,建立IGBT串联应用条件下的高电位自取能回路约束条件,从而确立所涉及的关键技术.最后提出高电位自取能直流变换器的设计方案,并基于此进行实验研究验证其技术的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡博		3	11	2.0	3.0
2	赵国亮		9	98	5.0	9.0
3	房萍		7	42	2.0	6.0
4	李卫国		5	10	2.0	2.0