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摘要:
采用传统的陶瓷工艺制备贫铁MnZn铁氧体材料Mn0.61Zn0.41Ti0.02Fe1.96O4,并采用流延工艺制备出厚度为100~150 μm的贫铁MnZn铁氧体薄片.研究了贫铁MnZn铁氧体材料的微观形貌和晶相结构,测试了贫铁MnZn铁氧体材料的磁性能.研究表明,贫铁MnZn铁氧体在低频区域的磁性能与富铁MnZn铁氧体相当,并在13.56 MHz的高频区域仍保持了较高的磁导率.通过运用仿真软件CST模拟NFC(近场通信)天线的场强分布并根据可读写距离测试了铁氧体薄片的屏蔽能力,讨论了贫铁MnZn铁氧体材料同时运用于无线充电及近场通信的可行性.
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文献信息
篇名 无线充电和近场通信兼用贫铁MnZn铁氧体材料
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 贫铁MnZn铁氧体 无线充电 NFC 磁谱 CST 可读写距离
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 38-41
页数 4页 分类号 TM277
字数 3227字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.05.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜力强 浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所 47 372 10.0 17.0
2 车声雷 浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所 8 13 2.0 3.0
3 李旺昌 浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所 5 7 2.0 2.0
4 刘强 浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所 6 14 2.0 3.0
5 陈思远 浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所 2 4 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
贫铁MnZn铁氧体
无线充电
NFC
磁谱
CST
可读写距离
研究起点
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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