玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展

• 作者: 张卿 李果华 杨国锋 汪金 高淑梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 氮化镓 玻璃衬底 发光二极管(LED) 横向外延过生长(ELO)
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 801-809,834
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.001

摘要

近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500～ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李果华	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	30	122	6.0	10.0
2	高淑梅	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	53	167	6.0	10.0
3	杨国锋	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	12	1	1.0	1.0
4	汪金	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	3	0	0.0	0.0
5	张卿	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	3	0	0.0	0.0