不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

• 作者: 刘京明 刘彤 杨凤云 程雨 苏杰 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化镓 XPS 表面氧化 表面形貌
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 922-924,938
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彤	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	51	800	14.0	27.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所 材料科	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	25	154	7.0	11.0
4	程雨	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0
5	刘京明	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0
6	苏杰	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	5	55	3.0	5.0
7	杨凤云	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0