MMIC在T/R组件中的应用

• 作者: 刘秀博 吴洪江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单片微波集成电路(MMIC) 多芯片组件(MCM) 氮化镓 砷化镓 发射接收(T/R)组件
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 810-814
• 分类号: TN45
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.002

摘要

采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8～12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10％的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	刘秀博	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	7	1.0	2.0