p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性

• 作者: 姚楚君 孙锐 李月靖 杨国锋 蔡乐晟 许桂婷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: N面GaN 发光二极管 极化效应 InGaN/GaN超晶格 载流子注入效率
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 820-824,839
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.004

摘要

随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型InGaN/GaN超晶格来提高有源层中的载流子注入效率.为了对比N面GaN基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED.通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面GaN基LED具有潜在的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨国锋	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	12	1	1.0	1.0
2	姚楚君	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
3	孙锐	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
4	许桂婷	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
5	李月靖	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
6	蔡乐晟	江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0