一种新型MEMS VOA芯片的设计

• 作者: 侯继东 黄惠良
• 来源期刊: 电子科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMSVOA 芯片设计 工艺流程 制造成本 新型结构
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 基础电子
• 页码范围: 514-518
• 页数: 5页
• 分类号: TN253
• 字数: 4035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16453/j.issn.2095-8595.2015.05.001

摘要

本文首先简介了MEMS VOA芯片的研发历史,总结了现有各种此类芯片的特点和缺陷.然后介绍了一种新型的MEMS VOA芯片的设计思路和简要工艺流程,对新型芯片的测量表明衰减范围超过40dB, 响应时间小于1ms.和现有主流芯片相比,新型芯片的工艺流程对于设备要求低,制造成本低,响应时间快,抗冲击性能高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯继东		2	1	1.0	1.0
2	黄惠良		1	1	1.0	1.0