IGBT单粒子烧毁效应的二维仿真

• 作者: 潘建华 王珣阳 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 单粒子烧毁 二维仿真
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2974字
• 语种: 中文

摘要

通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
2	王珣阳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	潘建华		1	2	1.0	1.0