衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

• 作者: 冯晓炜 况慧芸 朱华 王何美 王艳香
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO∶B薄膜 磁控溅射 光电特性
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1266-1270,1299
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4155字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征.结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向.所有薄膜样品在420 ～ 900 nm区间内的平均透光率大于91％.随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大.衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王艳香	景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院	84	377	10.0	16.0
2	况慧芸	景德镇陶瓷学院科技艺术学院	12	61	4.0	7.0
3	王何美	景德镇陶瓷学院机电学院	2	2	1.0	1.0
4	朱华	景德镇陶瓷学院机电学院	30	108	6.0	8.0
5	冯晓炜	景德镇陶瓷学院科技艺术学院	7	17	2.0	4.0