Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计

• 作者: 要志宏 郭丰强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单刀双掷开关(SPDT) GaN开关器件 Ku波段 耐功率能力 小型化
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 835-839
• 分类号: TM546|TN631
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.007

摘要

基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款GaN大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了GaN大功率开关的耐功率能力.经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的GaN开关器件,测试了其基本性能,并比较了开关器件在GaN工艺与GaAs工艺下的性能差别.Ku波段SPDT开关实测S参数表明,插入损耗小于0.9 dB,隔离度大于27 dB,同时能够承受10W的连续波输入功率;适当牺牲耐功率能力可提升小信号的性能.这款开关可搭配GaN功率放大器与低噪声放大器用于收发组件前端.其尺寸仅有2.0 mm×1.4 mm,满足系统小型化的需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	要志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	48	4.0	6.0
2	郭丰强	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	2	1.0	1.0