电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能

• 作者: 孟庆森 樊文浩 胡利方 董凤 陈少平
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 扩散连接 电场 扩散溶解 AZ31B/Cu
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TB331
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.006

摘要

采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接.利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布.采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试.结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu.扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+ Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节.当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈少平	太原理工大学材料科学与工程学院	43	111	7.0	9.0
2	孟庆森	太原理工大学材料科学与工程学院	92	422	11.0	16.0
3	胡利方	太原理工大学材料科学与工程学院	18	54	4.0	7.0
4	樊文浩	太原理工大学材料科学与工程学院	21	32	3.0	4.0
5	董凤	太原理工大学材料科学与工程学院	3	5	1.0	2.0