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一种片内电流模比较增强型上电复位电路
一种片内电流模比较增强型上电复位电路
作者:
李凡阳
杨涛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
上电复位电路
箝位
电流模比较
逻辑电平迟滞
摘要:
介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路.与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流模比较模块和逻辑电平迟滞模块,增强了上电复位信号,有利于后续逻辑单元的翻转.电路采用标准0.35 μm CMOS工艺进行设计和流片.芯片样品电路测试结果表明,在3.3V电源电压下,电路工作正常,其上电复位逻辑高电平约2.3V,比普通二极管复位电路高约0.8V,有利于后续逻辑单元的翻转,且电路结构比基准型复位电路简单.
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文献信息
篇名
一种片内电流模比较增强型上电复位电路
来源期刊
微电子学
学科
工学
关键词
上电复位电路
箝位
电流模比较
逻辑电平迟滞
年,卷(期)
2015,(1)
所属期刊栏目
电器与系统设计
研究方向
页码范围
63-66,71
页数
分类号
TN432
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李凡阳
福州大学福建省集成电路设计中心
6
7
2.0
2.0
2
杨涛
福州大学福建省集成电路设计中心
2
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研究主题发展历程
节点文献
上电复位电路
箝位
电流模比较
逻辑电平迟滞
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
主办单位:
四川固体电路研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号24所
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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