偏置应力对InAlN/GaNHEMT直流特性的影响?

• 作者: 冯志红 刘波 毛陆虹 王浩 谢生
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 偏置应力 铟铝氮 氮化镓
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 1051-1054,1060
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010

摘要

采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明，在关态和开态应力后，器件直流特性明显退化，退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明，关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的；而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此，只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程，在无外界激励时，经过10 d左右的静置，器件基本恢复初始性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
3	王浩	天津大学电子信息工程学院	37	282	8.0	16.0
4	冯志红	河北半导体研究所专用集成电路重点实验室	6	13	3.0	3.0
5	刘波	河北半导体研究所专用集成电路重点实验室	2	4	1.0	2.0