氮化镓GaN为新时代开启一线曙光

• 作者: Janine Love
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 材料 氮化镓GaN
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2940字
• 语种: 中文

摘要

随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料.氮化镓(GaN)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一大趋势后,近年来已经逐渐稳定立足于RF/微波应用.