工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响

• 作者: 吕航 周涛 张鹏 李媛 赵洋 陆晓东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si太阳电池 纳米压印 工艺偏差
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1247-1253
• 页数: 7页
• 分类号: TK514
• 字数: 4425字
• 语种: 中文

摘要

先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响.研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	渤海大学新能源学院	24	36	3.0	4.0
2	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
3	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
4	吕航	渤海大学新能源学院	10	18	3.0	3.0
5	李媛	渤海大学新能源学院	32	47	4.0	6.0
6	赵洋	渤海大学新能源学院	20	24	3.0	4.0