薄膜体声波谐振器的测试与表征

• 作者: 刘海涛 蔡洵 高杨 黄振华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器(FBAR) 品质因数 有效机电耦合系数 射频探针台 矢量网络分析仪 低阻硅
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 660-665
• 分类号: TN713|TN751.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.009

摘要

为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的Q值.比较实测的S参数及Mason模型仿真得到的S参数发现:采用低阻硅衬底会使FBAR的Q值降低;制备的FBAR中膜层的偏厚会使其谐振频率向低处漂移.制备的性能较好的FBAR,其串联谐振频率为1.509 GHz,Q值为60.4,并联谐振频率为1.523 GHz,Q值为523.4,有效机电耦合系数为2.25％.给出的FBAR片上测试与性能表征方法具有通用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
2	刘海涛	中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心	23	64	5.0	6.0
3	黄振华	西南科技大学信息工程学院	15	47	4.0	5.0
5	蔡洵	西南科技大学信息工程学院	17	56	4.0	5.0