功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真

• 作者: 刘钺杨 匡勇 吴郁 屈静 李蕊 苏洪源 贾云鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量 电压过冲 雪崩注入
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 24-28
• 分类号: TN313.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.005

摘要

静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素.利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻振荡和平缓发展三个阶段,对应器件内部的“过耗尽”、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等复杂变化,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.为改善器件在反偏ESD和雪崩耐量测试过程中的电流丝化问题,考察了结构参数对器件抗ESD能力和雪崩耐量的影响,发现提高n-区掺杂浓度和阳极表面浓度对提高抗ESD能力和雪崩耐量起到促进作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	贾云鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	107	7.0	9.0
3	刘钺杨	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	6	21	3.0	4.0
4	屈静	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
5	匡勇	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
6	李蕊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	44	5.0	6.0
7	苏洪源	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	19	3.0	4.0