SRAM存储器动态参数测试向量分析

• 作者: 唐力 张一波 张吉 王军 罗喜明
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 存储器 动态参数 测试图形
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 4-6,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 2216字
• 语种: 中文

摘要

半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读/写放大器和控制电路组成，是一种能存储大量信息的器件，它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试，而功能测试和交流参数测试对存储器来说是至关重要的。SRAM（静态随机存储器）的功能测试是通过算法图形发生器产生不同的测试图形，对被测器件各个不同存储单位进行读写操作，以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术，介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量，给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张吉	湖北航天技术研究院计量测试技术研究所	5	7	2.0	2.0
2	罗喜明	湖北航天技术研究院计量测试技术研究所	2	4	2.0	2.0
3	王军	湖北航天技术研究院计量测试技术研究所	3	2	1.0	1.0
4	唐力	湖北航天技术研究院计量测试技术研究所	5	2	1.0	1.0
5	张一波		1	2	1.0	1.0