低温等离子体剥蚀-电感耦合等离子体质谱联用对电路板镀层的深度分析

• 作者: 冯璐 李铭 杨萌 薛蛟 赵欣 邢志 黄秀
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 低温等离子体 介质阻挡放电 剥蚀 深度分析 电路板 电感耦合等离子体质谱
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 709-713
• 页数: 5页
• 字数: 2737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11895/j.issn.0253-3820.150070

摘要

建立了基于低温等离子体(Low temperature plasma)剥蚀系统将固体样品直接引入电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)并用于电路板镀层中Au,Ni和Cu的深度分析.此实验中采用介质阻挡放电(DBD)方式产生低温等离子体探针,逐层剥蚀样品表面,由ICPMS检测元素信号.对DBD所用放电气体种类、外加电场功率、放电气体流速和采样深度等实验条件进行优化.在优化条件下,应用LTP-ICPMS在30 s内完成电路板镀层(20 μm Au/10 μm Ni/Cu基底)的逐层剥蚀和深度分析,元素种类和分层顺序与X射线光电子能谱(XpS)相吻合,镀层的分辨率可拓展至微米水平,表明此技术可直接用于固体样品的深度分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢志	清华大学化学系	20	101	7.0	8.0
2	杨萌	清华大学化学系	5	27	3.0	5.0
3	李铭	清华大学化学系	6	29	4.0	5.0
4	薛蛟	清华大学化学系	2	11	1.0	2.0
5	黄秀	清华大学化学系	6	31	4.0	5.0
6	冯璐	清华大学化学系	7	24	4.0	4.0