中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

• 作者: 姬荣斌 孔金丞 庄继胜 朱颖峰 李东升 李立华 李雄军 胡彦博 韩福忠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 中波碲镉汞 表面钝化 MIS 器件 C-V
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 868-872
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2847字
• 语种: 中文

摘要

HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响，表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后，使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化，制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明，HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正，面密度为2.1×1011 cm－2，最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1，在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2，较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	庄继胜		19	117	6.0	10.0
5	李立华		16	53	4.0	6.0
6	韩福忠		19	61	5.0	6.0
7	朱颖峰		22	75	5.0	6.0
8	李东升		27	43	3.0	4.0
9	胡彦博		8	16	3.0	3.0