MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

• 作者: 汪为民 王强 范斌 邱传凯 陈泽祥
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 静电驱动器 场致电子发射 场增强因子 名义发射面积 可靠性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 925-929,935
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应.根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子.由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王强	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	267	5471	42.0	69.0
3	陈泽祥	电子科技大学光电信息学院	32	217	9.0	13.0
6	邱传凯	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	23	186	9.0	12.0
7	汪为民	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	16	32	3.0	4.0