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摘要:
为了克服现有电光器件的缺陷,选取晶体生长工艺成熟、价格低廉、折射率及电光系数较大的LiNbO3作为电光晶体材料,研究了沿其光轴方向通光的横向电光效应.加工制作了x切、(,xzl)45°切和y切3种不同切型的横向电光调制器,并对他们的调制性能做了实验分析.研究结果表明,沿LiNbO3光轴方向通光的横向电光调制有相同的电光参量,折射率感应主轴的位置与电场方向有关;3种不同切型的横向体电光调制器的零场泄露均很小,静态消光比均优于1 000:1,半波电压实测值与理论值的相对误差不超过1.7%;相同调制电压下,它们的调制深度相同,且调制性能稳定.该项研究可为该类电光调制器件的设计和应用提供参考,拓展它们在光通信和光学测量领域的应用.
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文献信息
篇名 沿光轴通光的LiNbO3的横向电光调制特性
来源期刊 光学精密工程 学科 工学
关键词 铌酸锂 电光晶体 电光调制器 横向电光调制 晶体切型 半波电压 调制深度
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 现代应用光学
研究方向 页码范围 1227-1232
页数 6页 分类号 O436.4|TN761
字数 3133字 语种 中文
DOI 10.3788/OPE.20152305.1227
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铌酸锂
电光晶体
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晶体切型
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调制深度
研究起点
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期刊影响力
光学精密工程
月刊
1004-924X
22-1198/TH
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-166
1959
chi
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