基于GaN HEMT器件的P波段小型化40 W发射模块

• 作者: 吴家锋 湛振华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 负载牵引 小型化 大信号参数 脉冲调制
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 34-38
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.007

摘要

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件具有高功率和功率密度、高导热率、高击穿场强、宽工作频带等特点,适合小型化、宽频带、大功率应用.基于GaN功率器件的特点研制了P波段宽带小型化40 W发射模块.通过负载牵引技术对GaN HEMT器件进行了大信号参数的提取,运用ADS软件进行了匹配电路的设计,对功率放大器的性能指标进行了优化,并基于LTC4440和nMOS器件设计了高压脉冲调制电路.研制结果表明,该模块在400 MHz工作带宽内(相对带宽100％)的输出功率为46.6 dBm (45.7 W),功率增益为36.6 dB,功率附加效率(PAE)为40.4％,杂波抑制为65.7 dBc,脉冲项降为0.4 dB,脉冲上升时间为75 ns,脉冲下降时间为50 ns,模块尺寸为50 mm×40 mm×20 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴家锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	3	1.0	1.0
2	湛振华		1	2	1.0	1.0