CMOS低相位噪声压控振荡器的设计

• 作者: 薛兵 路小龙 陈昶 高博 龚敏
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: VCO 相位噪声 Q值 负反馈
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 电器与系统设计
• 页码范围: 23-25,31
• 分类号: TN453
• 语种: 中文

摘要

基于65 nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10 GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器.该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈技术来降低相位噪声.仿真结果表明,此压控振荡器工作频率覆盖范围为9.9～11.2 GHz,调谐范围为12.3％,中心频率为10.5 GHz,在频率偏移中心频率1 MHz下的相位噪声为-113.3 dBc/Hz,核心功耗为2.25 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博		9	17	2.0	3.0
2	龚敏		9	17	2.0	3.0
3	路小龙		2	5	1.0	2.0
4	薛兵		2	5	1.0	2.0
5	陈昶		2	7	2.0	2.0